半導(dǎo)體器件的可靠性測試或試驗是半導(dǎo)體生命環(huán)節(jié)的重要部分，是必須完成的一個流程要求?？煽慷鹊亩x是產(chǎn)品在規(guī)定的時間內(nèi)，在特定的使用（環(huán)境）條件下，執(zhí)行特定的性能或功能時完成任務(wù)的概率（成功概率）或發(fā)生故障的概率。也就是說，可靠度是指預(yù)期產(chǎn)品銷售后，在使用的壽命期間會有多少產(chǎn)品失效，同時也可藉由可靠度的評估去推估在保固時間內(nèi)會有多少比例的退貨產(chǎn)品。而對于功率器件來說，可靠性是指器件在一定時間內(nèi)、一定條件下運行的能力，是功率器件重要的品質(zhì)特性之一。要滿足現(xiàn)代技術(shù)和生產(chǎn)的需要，獲得更高的經(jīng)濟效益，必須使用高可靠性的產(chǎn)品，這樣設(shè)計的產(chǎn)品才具有更高的市場競爭力。

       半導(dǎo)體器件高溫反偏試驗系統(tǒng)針對半導(dǎo)體器件的可靠性要求，滿足多種標準的可靠性試驗系統(tǒng)。本系統(tǒng)可以完成高溫工作壽命HTOL、溫濕度H3TRB、高溫反偏HTRB和高溫柵偏HTGB的可靠性試驗工藝過程的試驗。半導(dǎo)體器件高溫反偏試驗系統(tǒng)，器件的封裝類型：軸向 徑向二極管、TO-247-3 4、TO-3P、TO-220 等，可以根據(jù)需要選擇。

一、 滿足的試驗標準

lESD51-1

AEC-Q101

GJB128A

MIL-STD-750

JESD22A-108

JESD22A-101

二、 滿足的試驗器件類型

二極管

 MOSFET

 IGBT

CMOS

IPM 等功率器件

 各類IGBT 模塊

三、試驗系統(tǒng)的電氣參數(shù)及功能

漏電流范圍：10nA~1A(HTRB、H3TRB)

漏電流范圍：1nA~2mA(HTGB)

試驗電壓：10V~6000V(HTRB、HTOL)

試驗電壓：±30V-200V(HTGB、H3TRB)

四、產(chǎn)品主要特點：
試驗溫度：采用整個溫區(qū)為有效試驗區(qū)的設(shè)計方式，確保溫區(qū)在滿載 的條件下每個插槽溫度的均勻性和穩(wěn)定性。
試驗電源：采用輸出接近式小紋波程控直流試驗電源，電源輸出速率 可調(diào)，且漸近試驗電壓值，有效避免由于電源輸出試驗電壓過沖而損 傷器件。
試驗電壓：無損激勵源的偏壓方式，試驗電路無限流電阻，被測器件 線路無分壓，確保器件兩端電壓恒定不突變，從而確保試驗數(shù)據(jù)的真實。
試驗檢測：高邊輸入端控制通斷，可物理開關(guān)方式剔除異常器件的偏壓源輸入，不影響其它器件，避免限流電阻發(fā)熱碳化或燒毀電路板、避免頻繁更換限流電阻，從而降低使用成                   本；高速數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)，對數(shù)據(jù)實現(xiàn)準實時監(jiān)控，確保異常器件能即時被發(fā)現(xiàn)和相應(yīng)處理。
試驗配件：老化板，夾具上無電阻等發(fā)熱器件，不會燒毀電阻及 PCB  等，降低使用耗材。

五、 試驗系統(tǒng)的容量及擴展

試驗通道：8/16/24、可擴展

MAX 工位數(shù)：640/ 1280 /1960

老化板尺寸：280mm×500mm （器件不同會變化）

器件的封裝類型：軸向/徑向二極管、TO-247-3/4、TO-3P、TO-220 等，可以根據(jù)需要選擇

老化板可以支持新的封裝類型，如D-PAK（252）、D2PAK（263）E-mode、WPAK、POWER-PAK 等。

模塊：IGBT 半橋、全橋等

六、試驗系統(tǒng)的其它參數(shù)

供電電源：220V+10%, 50Hz
主體尺寸：W1500×H1740×D1600（mm）
主體重量：800KG
額定功率：20KW
工作溫度：0—40 度